Introducción

Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor uniunión programable o PUT y el diodo Shockley.
Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída de tensión entre los electrodos principales.

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:

• Tener dos estados claramente definidos, uno de bloqueo (alta impedancia) y otro de conducción (baja    impedancia).
• Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia.
• Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos, cuando está en estado de conducción.
Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.
• Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

Por ultimo digamos que la potencia disipada dependerá de la frecuencia es decir que se requiere que a una mayor frecuencia de funcionamiento habrá una mayor disipación de potencia.

Semiconductores de alta potencia

Aplicaciones:

Semiconductores de baja potencia

Aplicaciones: